ZXMN2A04DN8 دیتاشیت

ZXMN2A04DN8

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ZXMN2A04DN8
حجم فایل 180.345 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت ZXMN2A04DN8

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Diodes Incorporated ZXMN2A04DN8TA
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.8W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 22.1nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1880pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 5.9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 700mV@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@4.5V,5.9A
  • Package: SO-8
  • Manufacturer: Diodes Incorporated
  • Part id: 407979